Ngày 25 và 26/11/2023, Hội thảo Tọa đàm Khoa học về Công nghệ chăm sóc sức khỏe và sắc đẹp năm 2023 sẽ được diễn ra. Đây là một cơ hội quan trọng để các chuyên gia, doanh nhân và học giả chia sẻ kiến thức, trình bày các công nghệ mới, và định hướng cho tương lai của ngành công nghệ chăm sóc sức khỏe và sắc đẹp.
Hội thảo Tọa đàm Khoa học về Công nghệ Chăm sóc Sức khỏe và Sắc đẹp năm 2023 sẽ diễn ra trong hai ngày, từ 25 đến 26/11/2023 với sự tham dự của nhiều chuyên gia, diễn giả lớn trong ngành:
– Ông Trần Tiến Phong: Trưởng làng công nghệ chăm sóc sắc đẹp.
– Bà Đào Thị Lan Phương: Chủ tịch Khối Chăm sóc sức khỏe sắc đẹp và spa thẩm mỹ Việt Nam.
– Bà Lê Thị Lan Anh: Phó Chủ tịch Câu lạc bộ Bất động sản Hà Nội.
– Đại diện Lãnh đạo trường Cao Đẳng FPT Polytechnic.
– PGS. TS Trần Thị Hồng: Phó Hiệu trưởng Trường Đại Học Nguyễn Tất Thành.
– Ths Huỳnh Hồng Mai: PGD Trung tâm Sáng tạo và ươm tạo khởi nghiệp Trường Đại học Nguyễn Tất Thành.
– Tiến sỹ Trường Đại học Công thương Thành phố Hồ Chí Minh.
– Bà Trương Thị Ngọc Ánh: Quán quân Cuộc thi Tìm kiếm tài năng khởi nghiệp ngành công nghệ chăm sóc sắc đẹp năm 2022, Giám đốc Công ty cổ phần đào tạo và phát triển Spa Việt Nam.
– Bà Trần Thị Thanh Huyền: CEO Công ty Nemos Việt Nam.
– Bà Lê Mai: Phụ trách đào tạo Làng công nghệ chăm sóc sắc đẹp thành phố Hồ Chí Minh.
– Bà Lê Thị Thủy: CEO Công ty phần mềm giải pháp Ami.
Hội thảo được tổ chức nhằm cung cấp các kiến thức chuyên môn chuyên sâu về ngành công nghệ chăm sóc sức khỏe và sắc đẹp, thúc đẩy hoạt động kết nối hệ sinh thái khởi nghiệp đổi mới sáng tạo trong ngành trên quy mô toàn quốc. Mục tiêu bao gồm:
– Phối hợp và ủng hộ các dự án khởi nghiệp trong ngành công nghệ chăm sóc sức khỏe và sắc đẹp.
– Định hướng và ươm mầm tài năng trong lĩnh vực này.
– Thu hút các nhà đầu tư ủng hộ cho sự phát triển của ngành.
Hội thảo Tọa đàm Khoa học năm 2023 về Công nghệ Chăm sóc Sức khỏe và Sắc đẹp hứa hẹn sẽ mang lại những thông tin quý báu và cơ hội quan trọng cho cộng đồng ngành này, từ đào tạo đến ứng dụng công nghệ và khởi nghiệp.